型号 极性 电流(A) 电压(V) 功率(W)
2SC3320 NPN 15 400-500 80
2SC2625 NPN 10 450 80
2SC2623 NPN 20 450 100
2SC2617 NPN 15 500 125
2SC3679 NPN 5 800-900 100
2SC4110 NPN 25 400-500 150
2SC4111 NPN 10 700-1500 150
2SC4237 NPN 10 800-1200 150
2SC3998 NPN 25 800-1500 250
2SC3997 NPN 20 800-1500 250
2SC2246 NPN 15 450 100
2SC2659 NPN 7 500-800 120
2SC2751A NPN 15 500 120
2SC2774 NPN 17 200 200
2SC2830 NPN 20 500 200
2SC2930 NPN 30 500 200
2SC3050 NPN 5 800 150
2SC3094 NPN 20 500 140
2SC3213 NPN 75 400-800 300
2SC3552 NPN 12 800-1100 150
2SC3466 NPN 8 650-1200 120
2SC3153 NPN 6 800-900 60
BUX22 NPN 40 300 250
BUX23 NPN 30 400 250
BUX48A NPN 20 400-800 200
BUS13 NPN 15 400-850 175
BUS14A NPN 30 400-850 250
BUS98 NPN 30 450-850 250
BUV24 NPN 30 450 300
BU508A NPN 8 700-1500 125
BU908 NPN 8 700-1500 125
BUX98 NPN 30 400-850 250
BUX348 NPN 45 450-850 300
2SC3058 NPN 30 500 250
3DF50C NPN 50 200 500
3DF50G NPN 50 500 500
3DF100 NPN 100 200-600 1000
fah40n50场效应管参数的相关内容
k3342场效应管参数
K3324场效应管属于N–M0SFET型场效应管，其参数是：/耐压：900V/电流：6A/功率：120W/。 此管可直接用场效应管2SK3341–01进行代换。
rfp460场效应管参数
rfp460是N沟道FET 型MOSFET金属氧化物场效应晶体管。
rfp460场效应管参数：
开态Rds(最大)@ Id， Vgs @ 25° C:270 mΩ @ 12A， 10V
漏极至源极电压(Vdss):500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:20A
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250&microA
闸电荷(Qg) @ Vgs:210nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :4200pF @ 25V
功率 - 最大:260…
irfp3206场效应管参数
irfp3206场效应管的参数额定功率18瓦。最大漏源电流：16A漏源击穿电压：600V，内阻：0.26，通态电流：8A，栅极电压：10V
irfp3206场效应管又称光敏三极管。它的管壳上备有一个玻璃窗口，以便于接受光照。其特点是，当光线照射于它的PN结时，可以成对地产生自由电子和空穴，使半导体中少数载流子的浓度提高，在一定的反向偏置电压作用下，使反向电流增加。因此它的反向电流随光照强度的增加而线性增加
irfp4668场效应管参数
irfp4668是大功率场效应管，具有输入阻抗高、频率特性好、开关速度快等特点，广泛应用于各种功率放大电路。
irfp4668场效应管参数：
汲极/源极击穿电压： 200 V
闸/源击穿电压： 30 V
漏极连续电流： 130 A
耗散功率： 520 W
导通电阻： 9.7 mΩ
工作温度： -55℃～+ 175 ℃
上升时间： 105 ns
下降时间： 74 ns
正向跨导（最小值）： 150 S
典型关闭延迟时间： 64 ns
…
开关电源场效应管故障现象
场效应管坏了，外表无异样。发热烧坏时，表面颜色会变得灰暗、有的会被烧出一个小孔往外喷黑烟。
场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型和金属 - 氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。