场效应管的驱动电压是2～4V（极值20V），驱动电流约100nA。
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管的驱动电压是多少
场效应管驱动电压一般在10～15伏，最高电压为15V。
交流参数
交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数，输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间，而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内，特殊的可达100mS，甚至更高。
低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。
极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。
极限参数
①最大漏极电流是指管子正常工作时漏极电流允许的上限值
②最大耗散功率是指在管子中的功率，受到管子最高工作温度的限制
③最大漏源电压是指发生在雪崩击穿、漏极电流开始急剧上升时的电压
④最大栅源电压是指栅源间反向电流开始急剧增加时的电压值。
除以上参数外，还有极间电容、高频参数等其他参数。
漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。
栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。
使用时主要关注的参数有：
1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。
2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。
3、UT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。
4、gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。
5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。
6、PDSM—最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。
7、IDSM—最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过I。
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场效应管有哪几种参数
有以下几种参数：
开启电压UT （MOSFET)、夹断电压UP （JFET）、饱和漏极电流IDSS （JFET）、直流输入电阻RGS、跨导Gm和最大漏极功耗。
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。
它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、…
场效应管栅极的最高电压是多少
栅极最大开启电压一般不超过22v。与前级驱动栅极电阻最好不＞470Ω（一般是配合加速电路），否则开关速度变慢易坏场效应管。
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。
场效应管栅极电流能有多大
16a。
irf1205场效应管的参数额定功率18瓦。最大漏源电流：16A，漏源击穿电压：600V，内阻：0.26，通态电流：8A，栅极电压：10V
irf1205场效应管又称光敏三极管。它的管壳上备有一个玻璃窗口，以便于接受光照。
13007场效应管参数
MJE13007是高压大功率开关三极管，由于工作电压及电流大，一般应用于开关稳压器或电机控制系统中用于开关使用，电子变压器也是使用比较广泛之一，13007集电极与基极电压VCBO为700V，集电极与发射极电压为VCEO为400V，发射极及基极电压是9V，集电极最大电流为8A，集电极耗散功率PC：80W
13007场效应管参数
三极管13007参数：
集电极-基极最高耐压VCBO=500V集电极-发射极最高耐压VCEO=400V发射极-基极最高耐压VEBO=9V集电极电流IC=0.3A耗散功率PC=7W。
三极管13007可用国外…
k2750场效应管如何判断好坏
k2750场效应管可以这样判断好坏：
先用万用表R×10kΩ挡，把黑色负表笔接栅极，红色正表笔接源极。给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。再用万用表R×1Ω挡，将负表笔接漏极，正笔接源极，万用表指示值若为几欧姆，那说明场效应管是好的 。