3dg27c三极管参数-经验

3dg27c是高频高反压小功率管是硅 NPN三极管BVceo=100V Icm=500mA Pcm=1000mW ft≥80MHz β=20～200 它是国产三极管，一般用在电压比较高的电路中，在使用中如果耗散功率比较则需要加装散热否则会烧坏管子，由于它是高频管在设计电路时要注意走线防止自激

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c3279是NPN高频小功率晶体三极管，主要用于各种高频放大电路中。

c3279三极管参数：

集电极-基极反向击穿电压：30V

集电极-发射极工作电压：30V

集电极-发射极最大电流：200mA

最大耗散功率：750mW

特征频率：100MHz

放大倍数：140~600

工作温度：-55℃～+150℃

产品封装：TO-92

三极管D882技术参数:

NPN管，脚位:ECB，放大倍数:200-300

电流：3A，电压：180V，功率：1.25W

高频三极管一般应用在VHF、UHF、CATV、无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器上，这些使用场合大都用在低电压、小信号、小电流、低噪声条件下，其功率最大2.25瓦，集电极电流最大500毫安，其在使用过程中的选用原则为：

(1)当三极管使用的环境温度高于30℃时，耗散功率Pcm应降额60-80%使用。

(2)三极管应尽量远离发热元件，以保证三极管能稳定正常地工作。

制作三极管的材料分锗和硅两种，我们常称为锗管或硅管，例如3AG型即是锗小功率高频三极管，而3DD型则是硅大功率低频三极管。

锗三极管一般应用在高频率小电流状态下，如高中频放大器中，而硅三极管主要用在大电流大功率的功率放大器中。至于锗三极管的优点，和硅管比起来，那就是它适用的频率较宽，使用电压较低。

c1318是硅NPN高频小功率晶体三极管，用于各种小功率放大电路中。

c1318三极管参数：

集电极最大耗散功率：400mW集电极最大直流电流：1A集电极-基极反向击穿电压：60V集电极-发射极工作电压：60V特征频率：200Mhz放大倍数：50～150封装：TO-92

参考型号：3DK14C

3dg12b和3dg12c都是npn型高频小功率硅三极管。3dg12b的最大工作电压45伏，最大集电极电流300毫安，最高工作频率200兆赫兹。耗散功率700毫瓦。而3dg12c的最大工作电压40伏，最大集电极电流300毫安，最高工作频率300兆赫兹，耗散功率700毫瓦。

3dg12b和3dg12c三极管

3DG12b和3DG12C，都是NPN型硅管高频中功率管，最大功率5O0毫瓦，b档和c档只不过耐压不同，c档高于b档。