半导体中的载流子是复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）。

在一定温度下，电子-空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。

温度升高时，将产生更多的电子-空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。

载流子的浓度是决定半导体电导率大小的主要因素，其单位是原子/cm3。在本征半导体中，电子和空穴的浓度是相等的。而在含有杂质和晶格缺陷的半导体中，电子和空穴的浓度不相等。

把数目较多的载流子叫多数载流子，把数目较少的载流子叫少数载流子，例如，N型半导体中，电子是多数载流子，空穴就是少数载流子，而在P型半导体中正好相反，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。

载流子浓度单位

其单位是原子（个）/立方厘米。

载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。在半导体物理学中，电子流失导致共价键上留下的空位（空穴引）被视为载流子。在电场作用下能…

霍尔效应载流子浓度为0.968(×1021/m3)。实验测得的电导率为0.091(1/Ω·m)，霍尔系数为6610(m3/C)，霍尔元件的载流子类型为N，载流子浓度为0.968(×1021/m3)，霍尔元件的迁移率为601.51(m2/V·s)。霍尔效应是指当固体导体放置在一个磁场内，且有电流通过时，导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边，继而产生电压（霍尔电压）的现象。电压所引致的电场力会平衡洛伦兹力。通过霍尔电压的极性，可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子（自由电子）之运动所造成。

半导体载流子计算公式：n = p = K1*T^3/2*e^-E(go)/(2kT)，n和p为载流子浓度，第一个T为热力学温度，E(go)为为热力学零度时破坏公价键所需的能量，k为玻耳兹曼常数. 半导体载流子即半导体中的电流载体。在物理学中，载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。在半导体中，存在两种载流子，电子以及电子流失导致共价键上留下的空位（空穴）均被视为载流子。通常N型半导体中指自由电子，P型半导体中指空穴，它们在电场作用下能作定向运动，形成电流。