以TTL系列集成电路为例，从硅片到集成电路的工艺流程：从单晶硅上切割下来的硅片——磨光——抛光——氧化——光刻——埋层扩散——外延——氧化——光刻——隔离扩散——氧化——光刻——基区扩散——氧化——光刻——发射区扩散——真空镀铝——光刻——烧结（形成欧姆接触）——初测 至此前道工序就算完成了。

后部工序：划片——烧结基座——键合——中测——包封——老化——测试——打印（激光或丝印）

光伏要大硅片切割是因为光伏硅片源自半导体硅片，尺寸变大是趋势。

主要表现在于：

1、1.半导体硅片尺寸增加能够带来成本降低

半导体硅片的发展过程中，尺寸不断增加。1918年前苏联科学家切克劳斯基(Czoalski)建立起了直拉式晶体生长方法（CZ法），从而奠定了硅单晶的主要生长方法，从1965年的2寸晶体（寸为英寸，描述的是直拉晶体的直径），到近年来的12寸晶体，单晶硅片的尺寸持续增加。

硅片尺寸增加可以显著降低半导体芯片的生产成本。半导体芯片采用光刻逻辑电路的生产工艺，硅片面积越大，一次性生产出的芯片数量就越多，而且硅片面积增加，芯片装上…