Ic(集电极电流)=Ie(发射极电流)-Ib(基极电流)…
上面就是三极管集电极电流计算公式,还可减化为:Ic(集电极电流)=(β-1)×Ib(基极电流)。其中β是三极管放大倍数。
一般来说,三极管有基极(b)、集电极(c)、发射极(e)等三极。三极管的工作区域有饱和区、放大区、截止区。
因而,三极管集电极电流Ic=Ie-Ib=(β-1)×Ib。
c3040三极管引脚的参数。最高反向峰值电压:100V
Maximum DC blocking voltage VDC 最大直流闭锁电压:100V
Maximum average forward rectified current I(AV) 最大正向平均整流电流:3.0A
Maximum instantaneous forward voltage at 3.0A VF 3.0A时的最大瞬时正向电压:0.85V
s2贴片三极管的参数如下:
极性:PNP
PCN(mw)功率:200mw
lc(mA)电流:-100mA
BVCBO(V)集电极-基极电压:-60V
BVCEO(V)集电极-发射极电压:-50V
BVEBO(V)发射极-基极电压:-5V
n2222参数输出电压24v
三极管n2222是在 MOS的基础上改进的一种大电流,高放大倍数(跨道)新型功率晶体管,区别就是使用了V型槽,使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升,但是同时也大幅增加了MOS的输入电容,是MOS管的一种大功率改进型产品,但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管。
三极管n2222参数
N2222封装:TO92 极性:NPN 主要参数:电压60V,电流0.8A,功率500mW,频率300MHZ,放大倍数HFE=100~300 。
当然能放大电压。
三极管的电流放大作用是基本的放大功能。集电极电流Ic随基极电流Ib的变化而成β倍的变化,其关系式为:Ic=βIb,也就是说,Ic受Ib的控制。
根据欧姆定律,电流通过电阻可转换成电压。因此,在集电极输出端接入负载电阻,让放大的电流变成电压,这就实现了电压放大。
几乎所有电器都需要用到三极管。
三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。
哪种电器需要用到三极管
很多电器都会用到三极管,除了象手电,灯泡,热水器之类的不会用到,其它很多都会用到,比如空调,冰箱,洗衣机,彩电,电磁炉,CD机,手机,电脑,电话,音响,等等。
三极管有三种工作状态,饱和状态就是其中一种,所谓饱和就相当于三极管的发射极与集电极处于短路状态,电路电流的大小完全由负载电阻所决定,因此求该电路的饱和电流值就是用电源电压除以负载电阻,例如电源电压是12伏,负载电阻是2KΩ,则饱和电流是6mA。
3dg6三极管是我国早期生产的硅npn型高频小功率晶体三极管。它的形状是由直径5毫米高5毫米左右的圆柱形金属外壳,边上有小的突起,标注是发射极,用环氧树脂封固。引出三个金属脚,壳体上印有3DG6的型号以及其它编号。当时的晶体管是很珍贵的。
c1383是NPN高频中功率晶体三极管,在各种电压放大、高频振荡电路广泛应用。
c1383三极管参数:
最大耗散功率:0.75W
集电极最大电流:1.5A
集电极-基极击穿电压:30V
集电极-发射极工作电压:25V
特征频率:200MHz
放大倍数:60
工作温度:-65℃~+150℃
贮存温度:-65℃~+150℃
封装:TO-92L
t2f是PNP高频小功率贴片三极管,主要用于各种高频放大电路,还可以作电子开关,以及配合其它电子元件还可以构成振荡器等。
t2f贴片三极管参数:
极性:PNP
集电极工作电压(Vc):≤60V
集电极工作电流(Ic):≤0.6A
耗散功率(P):≤0.5W
放大倍数(Hfe):≥75
特征频率(Ft):≥200MHz
封装:SOT-23
c3279是NPN高频小功率晶体三极管,主要用于各种高频放大电路中。
c3279三极管参数:
集电极-基极反向击穿电压:30V
集电极-发射极工作电压:30V
集电极-发射极最大电流:200mA
最大耗散功率:750mW
特征频率:100MHz
放大倍数:140~600
工作温度:-55℃~+150℃
产品封装:TO-92
三极管D882技术参数:
NPN管, 脚位:ECB, 放大倍数:200-300
电流:3A,电压:180V,功率:1.25W
高频三极管一般应用在VHF、UHF、CATV、无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器上,这些使用场合大都用在低电压、小信号、小电流、低噪声条件下,其功率最大2.25瓦,集电极电流最大500毫安,其在使用过程中的选用原则为:
(1)当三极管使用的环境温度高于30℃时,耗散功率Pcm应降额60-80%使用。
(2)三极管应尽量远离发热元件,以保证三极管能稳定正常地工作。