场效应管配对一般都是对晶体管的放大倍数这个参数做配对使用。两只产品的放大倍数不大于3即可算是配对。通常情况下都是使用晶体管特性图示仪作为配对的测试仪器。
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。
由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围…
场效应管的系数有：
1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。
2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。
3、UT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。
4、gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。
5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极…
断态重复峰值电压VDRM＞850V，反向重复峰值电压VRRM＞850V断态重复峰值电压(VDRM/VRRM) 600/800V
通态均方根电流(IT(RMS)) 12A，通态电流临界上升率(dIT/dt) 50A/μs，门极峰值电流(IGM) 2A，门极峰值功率(PGM) 5W
门极平均功率(PG(AV))0.5W
存储温度(TSTG)40~+150℃
工作温度(TJ) 40~+125℃
4955场效应管的参数
PD最大耗散功率：392W
ID最大漏源电流：59A
V(BR)DSS漏源击穿电压：250V
RDS(ON)Ω内阻：0.049Ω
VRDS(ON)ld通态电流：29.5A
VRDS(ON)栅极电压：10V
VGS(th)V开启电压：3~5V
VGS(th)ld(μA)开启电流：250μA
fhp50n50场效应管 采用的是高通骁龙888处理器，这款处理器的性能十分强，大大的保温达到了80万美金，并且支持满血的上周以及内存。他在支持5G双模全网通功能，它采用的是后壳玻璃材质，并且支持杜比音效的立体声双扬声器。
fhp50n50场效应管详细参数
fhp50n50场效应管参数：
最大耗散功率:78W
ID最大漏源电流:4.5A
V(BR)DSS漏源击穿电压:500V
RDS(ON)Ω内阻:1.5Ω
VRDS(ON)
fhp50n50场效应管 采用的是高通骁龙888处理器，这款处理器的性能十分强，大大的保温达到了80万美金，并且支持满血的上周以及内存。他在支持5G双模全网通功能，它采用的是后壳玻璃材质，并且支持杜比音效的立体声双扬声器。
以上是我的回答，希望我的回答可以帮到您。
50n50场效应管的参数
参数最大耗散功率:78WID最大漏源电流:4.5AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:1.5ΩVRDS(ON)
长效管的功率有大小之分，大功率的场效应管可以输出更大的电流来驱动更大的负载所以它的输出功率也比小功率的场效应管输出功率大，他在工作过程中由于疏忽电流大产生的热量也较多一些，所以大功率管的体积比小功率管的体积大一些散热片的面积也要大一些。
ftp23n10a场效应管 采用的是高通骁龙870处理器，可以支持最高满血的闪存以及内存，另外它采用的是一块6.67英寸的lcd屏幕，支持内置6000毫安电池，支持60w的极速充电。另外它还支持立体声的双扬声器，支持红外遥控功能等等。
ftp23n10a场效应管参数
耐压 电流 功率 2SK534---800V---5A---100W 2SK538---900V---3A---100W 2SK557---...
最大耗散功率：83WID最大漏源电流：80AV(BR)DSS漏源击穿电压：30VRDS(ON)Ω内阻：0.0065ΩVRDS(ON)ld通态电流：30AVRDS(ON)栅极电压：10VVGS(th)
V开启电压：1~3VVGS(th)ld(μA)开启电流：250μA