irfp3206场效应管的参数额定功率18瓦。最大漏源电流：16A漏源击穿电压：600V，内阻：0.26，通态电流：8A，栅极电压：10V
irfp3206场效应管又称光敏三极管。它的管壳上备有一个玻璃窗口，以便于接受光照。其特点是，当光线照射于它的PN结时，可以成对地产生自由电子和空穴，使半导体中少数载流子的浓度提高，在一定的反向偏置电压作用下，使反向电流增加。因此它的反向电流随光照强度的增加而线性增加
irfp4668是大功率场效应管，具有输入阻抗高、频率特性好、开关速度快等特点，广泛应用于各种功率放大电路。
irfp4668场效应管参数：
汲极/源极击穿电压： 200 V
闸/源击穿电压： 30 V
漏极连续电流： 130 A
耗散功率： 520 W
导通电阻： 9.7 mΩ
工作温度： -55℃～+ 175 ℃
上升时间： 105 ns
下降时间： 74 ns
正向跨导（最小值）： 150 S
典型关闭延迟时间： 64 ns
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场效应管坏了，外表无异样。发热烧坏时，表面颜色会变得灰暗、有的会被烧出一个小孔往外喷黑烟。
场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型和金属 - 氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。
开关管与场效应管区别在于性质不同，使用方式也不同
开关管是逆导三级管亦称反向导通三级管。其特点是在三级管的阳极与阴极之间反向并联一只二极管，使阳极与阴极的发射结均呈短路状态。由于这种特殊电路结构，使之具有耐高压、耐高温、关断时间短、通态电压低等优良性能。
场效应管是三级管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
场效应管是一种特殊材料的电压控制半导体元件，按类型分为耗尽型型和增强型，按通道分为N沟道和P沟道。开关管是开关电源电路的控制管，使用大功率场效应和三极管皆可以，根据电路设计而选择。
行管是指显像管电视机行扫描电路的输出管，主要推动高压包工作，行管选用带阻尼二极的大功率三极管，区别于开关管等普通三极管。
场效应管和开关管和行管的区别
场效应管是一种特殊的晶体管，它是电压控制的器件，而普通三极管都是电流控制的器件。
开关管、功率管这些是针对用途来说的，它可能是三极管也可能是场效应管，做开关用途时就叫开关管，做大功率控制的时候就叫功率管。行管是电…
答一般来说场效应管栅极去掉后依然导通。是因为场效应管的栅极存在一个平板寄生电容，当场效应管的棚极去掉，电路断开，栅极平板寄生电容电极储存大量的正负电荷，去掉栅极，电容无法放电，造成栅极的电压还维持在5V，所以场效应管栅极去掉后依然导通的。
N型沟道场效应管漏极电流是从D流向S的。P型沟道场效应管漏极电流是从S流向D的。
N型沟道场效应管漏极电流是从D流向S的。P型沟道场效应管漏极电流是从S流向D的。
场效应管可分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（MOSFET）。场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。
对于绝缘栅型场效应管来说，一旦栅极的二氧化硅绝缘层被击穿，这个场效应管就废了，那怕是你所说的“轻微击穿”，也不行，仍然算是废了，即使还能控制电流，也不靠谱了。如果用于开关电源，隐患非常大。
原因太多了，不过修这个只要在220v输入端串一个25~40w的白炽灯泡就能极大地减少场管击穿或炸裂的现象了.而根据一般的电路只要有40v或60v的电压就能有正常输出(空载，不能带负载)
而且此时电流只有数十毫安的特点，直接在220v端接入交流低压再串一个限流电阻来调试(当然芯片要另外供电)，那就基本不会坏管了.根据你说的一上电就击穿来看
应该不是次级低压部分，否则怎么也要几秒钟或有异声的.很大可能是芯片坏了，输出高电位使场管直通，瞬间高温击穿.
场效应管测量的口诀：
将万用表置于RXlk档，用黑表笔接触假定为栅极G管脚，然后用红表笔分别接触另两个管脚。若阻值均比较小(约5'--10欧)，再将红、黑表笔交换测量一次。如阻值均很大，属N沟道管，且黑表接触的管脚为栅极G，说明原先的假定是正确的。同样也可以判别出P沟道的结型场效应管。
场效应管的驱动电压是2～4V（极值20V），驱动电流约100nA。
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管的…
1、微件不同：
场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于可控硅的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。
2、放大系数：
场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差可控硅是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。
3、输入电阻：
场效应管栅极几乎不取电流（ig»0）而可控硅工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比可控硅的输入电阻高。
4、性能不同：
场效应管只有多子参与导电可控硅有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、…